�@�x�n�q���b2015�~�N�w�ۤ⥬�ت������S�]GaN on Si�^�N�β���A��~�w�i�J�q�����q�A���F�P�N�k�b����X�@�Ͳ�����GaN�\�v����PIC�A�]�ANavitas��GaN
Systems��b�x�n�q����Ͳ�100V��650V�����\�v����C�x�n�q���~�w��J�ĤG�NGaN�W�j�����q�l���ʲv�q����]E-HEMT�^�q���A100V�ťF�����q�l���ʲv�q����]D-HEMT�^�i�J�ղ��A�å��i5G��a�x�Ҧ�������C
�@�x�n�q�ثe���N��20�xMOCVD������ۼh����JGaN�q���A���~�w�p�A�W�[10�x�]���X���C�ӥx�n�q����@�ɥ��i��X�~�b8�TGaN on Si��o���Q�i��A���~���N�}�l�ղ��e�ˡA�i�沣�~�]�p�Ȥ�W�L10�a�A���~�i��i�J�q�����q�A�~�ɶǥX�w��������IDM�j�t�q��C
�@�p�q�N�X�U6�T�t�@�������ꪺ�p�o���q�A��J�\�v����ί~���S�]GaAs�^����N�u�A���p�q�ثe�ۤ�i��GaN on
Si�N�}�o�A�����p�o�|�O�D�n�Ͳ���a�A�B���ӷ|�Ҽ{����8�T����N�u�C�۸���䥦�}��A�p�q�����Ͳ���e��q��X�A��e�P�ਹ���ѵ����A�N�Ͳ��u������GaN����Y���δ���Ŵ����ؤo�ʸˡ]WLCSP�^���N�u�����C
�@���������ΦbGaN��SiC���ۭ��W�U�嫫����X�A���y��6�TSiC�U����O�~���벣��i�F5,000���A6�TGaN on Si�U����O�w�}�X�C��2,000������A���׳̰���4�TGaN on SiC�U����O�w�p�q�X�f�A6�T����N�b���~�}�X�C���������ꧻ�����t����N�u�n���A�w��JGaN on Si��GaN on SiC�N�}�o�β��६�ءC�ܩ�B�{�h��JSiC MOSFET�\�v����]�p�A���~�U�b�~�i�橵�����~�u��q�ʨ����ΡC
�p�q�P�ਹ�h�~�Ӧb�X�� IC
���N�K���X�@�A����Ȥ᭫�|�ʰ��C�p�q�]�Ȫ��B�ҪF���ܡA���ӱN�b�X�� IC ���A��X�e�B��q�s�{�N�A�����W�B��C�\�ӵ���V�ڶi�A���Ȥ��㪺�t�M�N�A�]���p�q����q�ͺA�t���C
�]�]���o�˪��N���e�A�O�W�b���b���骺���\�g�礣���o�৹���ƻs�C�ثe�ꤺ�t�ӰѻP�ƦX���b���餴�H�N�u���D�A�]�A�G���6�T�������S�]GaN on Si�^�q����O���Ŵ��F���b�����s�Y�x�n�q�A�]������JGaN on Si�b���骺�s�y�F�Ʀܦp���q�������~��í�w�A�w���J�\�v�����F�t�~�U�]�w��o���ΤƦX���b���餸�����ҡA�ÿn����J�q���A�Z���B�@�ɥ��i�]���ťܧ�J�ƦX���b���骺��o�s�y�C
�b������ƾ��g�T�ӵo�i���q�A�Ĥ@�N�O��(Si)����¦�\����ơF�ĤG�N�i�J�Ѩ�إH�W�����զ����ƦX���b������ơA�H�~���S(GaAs)�B�C���(InP)�����N���F�ĤT�N�h�O����S(GaN)�B�Ҥƪ�(SiC)���e���(Wide Band
Gap�AWBG)�ƦX���b������ơC�q���έ��ӬݡA�ĤT�N�ƦX���b����b�q�T����Υ\�v���o�i���|�̤j�C�b�q�T�譱�A5G�q�T��a�x���\�v����w�ĥ�GaN�A���Ӥ���ݪ�RF�g�W�B6G�q�T���ӻ������W�q�T���AGaN���·|�O�D�y�C���MGaN�w���Ω���O�ʹq�l���\�v����A���b���ιq�l�譱�ASiC�]�����n�A�i�Ө����šB���q�������Y�V���ҡA�N�Q�H���p��C
�]�����e���y�Ҥƪ���O���������b����Cree��W�A��Cree���@�N��W�c��Ҥƪ���O�A�ɭP�����W����S���~�������ΡC�b�Ҥƪ���O���H���o���ڡA���b�}�o�Ҥƪ���O�����y�����������춶�Q�q���Ҥƪ������S(GaN on
SiC)���~���̤j�U�O�C���Ȧp���A�z�L���y���B������W�U�����Y�����ɮ����A�[�W������P�ݫȤ����Ϊ����ҡA���y����[�F�ѥ����ʺA�ӯണ�ѧ�ŦX�Ȥ�ݨD�����겣�~�C�����n�����i��b�q�ʨ��P5G���ε���j���~�Ͷձa�ʤU���S�Ӿ��C
���y���ثe�b�ƦX���b���骺�G�����T�j�D�b�A�]�A�������S�]GaN on Si�^�B�Ҥƪ������S�]GaN on SiC�^�H�κҤƪ��]SiC�^�CGaN on Si�ثe�w��6�T�q����O�AGaN on SiC�ѩ�s�{�������B�ثe�u�వ��4�T�ASiC����h�b���o�{�Ҥ��C�x�t���ƺݰ����y�����{�̬��G�����~�A�~�U�뱱�X�U�U��������t�Ŵ��h���4�T�B6�T�Ҥƪ��U����6�T����S�U���q����O�C
�a�A�D�u �i�|�� Dr. Herman Chang ���Ű��`�� �U���s���궰�Φ������q
�D�u ���v�E Mr. Brian Lee ������ í���b����ѥ��������q
�ƥD�u �L�ŧ� Dr. Barry Lin �N���[���`�g�z �p�o���q�ѥ��������q .................................................. �{�@�� Dr. Yi-Cheng Cheng ���ƺ[���q��s�ҩҪ� ��a���s��Ǭ�s�|
�e �� ���夤Dr. Wen-Chung Lee CTO �N��
�X����ުѥ��������q .................................................. ��q�� Dr. Ian Chan �N�� ���[��ުѥ��������q .................................................. �]�y�v Dr. CT Sune �`�g�z �Ŵ��q�l�ѥ��������q .................................................. �v���� ��� Mr. Stephen Coates ��B���` ����S�t�Φ������q .................................................. ���˷s Dr. David Chen �`�g�z
�~����ުѥ��������q .................................................. �d�Ӽ� Dr. Chih-I Wu �q�l�P���q�t�ά�s�� �Ҫ� �u�~�N��s�| .................................................. ����� Mr. Simon T. Dann �`�g�z �����U����ުѥ��������q .................................................. ������ Mr. P.C. Wang �M�װ��`�g�z �٥ͺ�K�u�~�ѥ��������q .................................................. ù���� Mr. YK Lo �q���t�ΨƷ~�s�N�`��
���_��ުѥ��������q .................................................. ���P Ms. Rebecca Tang ���ƪ��[�`�g�z �x�W�Z���q�l�ѥ��������q .................................................. �B���@ Mr. Albert Liu ���g�z �x�W�n��q���s�y�ѥ��������q .................................................. �f�е� Mr. Heinz Ru�`�g�z �P�Y�q�l�u�~�ѥ��������q .................................................. �I��Mr. Wayne Shih�`�g�z
�����b����ѥ��������q .................................................. �����v Dr. Claire Chen ���y�~�ȤγW�����`�g�z �@�ɥ��i�n��q���ѥ��������q .................................................. �}�q��Ms. Doris Hsu ���ƪ��[����� ���y���� (��) ���q .................................................. ���彮 Dr. Charles Tsai �N�� �x�F�q�l�u�~�ѥ��������q .................................................. �i���} Mr. Lance Thio ��P�~�Ȥ��߰��`�g�z
�~�U��ުѥ��������q ..................................................
�ĤT�N�b��������2�G�C�q�����q�������� ��2�ӥ����A�O�δ���S�s�y�q���ഫ���]²��Power GaN�^�A�o�O�ثe�̼�������� �C�L�h�Ͳ��������~�A�����������O���o�Ҥƪ�����O�A�ijX�ɡA������q�j�ǰ�ڥb���鲣�~�ǰ|�|���i�l���X�@���Ҥƪ���O���ڭ̬ݡA�o�@��6�T�e������A�n�����F8�U���x���C ����X�~�A�����W�}�l�X�{�N����S���|�b����O�W���N�]GaN on
Si�^�C�o�اN�j�T���C�ƦX���b���骺�����A�Φb�Ͳ��B�z�Ʀʥ�S���q���ഫ�A�i�H����S�p�S�ٹq�C�ثe�����W�w�g�i�H�ݨ�A�쥻�K���j�p�����q�������A�w�g�వ��u���氮�j�p�AOPPO�B�p�Q�����q�A��n���n��o�اN���ئb��������M���q�̡C 3��1��A�����Ҩ�o���D���uA GaN Changer�v�����~���i�A�{������2~3�~�A��3�N�b����N������y���O�ʹq�������A���N�Ϊ��s�@��IGBT�q���z�����C�����Ҩ���i�w���A2023�~�A�o�ӥ������ȨC�~�N�H6���H�W�t�צ����C�i�l�]�{���A��3�N�b�����ഫ�IJv��F��95%�H�W�A�@���Q�j�T�ĥΡA�u�x�W��٤U�@�y�֯�q�t���q�v�C
���~�Aí���Q�~�e��J�}�o�ĤT�N�b����BGaN on
SiC�A�����Φb5G��a�x�B�ìP�����A��~�v���ڤJ�������A�C�~�����W�L5�����~�����v�A���M�ثe�禬�����ٸ��C�A���L�w�����~�b5G��a�x����G�ءA�H�ΧC�y�D�ìP�л\�v�W�[�A���U��ӷ~���禬����W�šC
�b���ΡB���P�`�ಣ�~�ݨD�W�[�U�A�a�ʤƦX���b���餸��ݨD�[�šA�Ӻ~�U�뱱�X�U�Ŵ����ثe�ꤺ�ߤ@�@�a�q��
GaN �U���P SiC �U���������ӡA�Ӻ~�U�줵�~�]�N���O�X�j�G�� GaN �P SiC �������~��B�W�ҡA�G���b����`��P���Υ����Ӿ��C
�~�U 4 �T SiC ���u�w��q�Ͳ��A�������Ȥ�ݨD�A6 �T SiC ���u�]�w�ظm�����A�����a�X�W SiC �������N�u�t�A�������ιq�l����}�o�Ϋ~��t�λ{�Ҥ]�۷����Q�C
����X�~�A�����W�}�l�X�{�N����S���|�b����O�W���N�]GaN
on Si�^�C�o�اN�j�T���C�ƦX���b���骺�����A�Φb�Ͳ��B�z�Ʀʥ�S���q���ഫ�A�i�H����S�p�S�ٹq�C�ثe�����W�w�g�i�H�ݨ�A�쥻�K���j�p�����q�������A�w�g�వ��u���氮�j�p�AOPPO�B�p�Q�����q�A��n���n��o�اN���ئb��������M���q�̡C
3��1��A�����Ҩ�o���D���uA GaN Changer�v�����~���i�A�{������2~3�~�A��3�N�b����N������y���O�ʹq�������A���N�Ϊ��s�@��IGBT�q���z�����C�����Ҩ���i�w���A2023�~�A�o�ӥ������ȨC�~�N�H6���H�W�t�צ����C�i�l�]�{���A��3�N�b�����ഫ�IJv��F��95%�H�W�A�@���Q�j�T�ĥΡA�u�x�W��٤U�@�y�֯�q�t���q�v�C
����X�~�A�����}�l�X�{�N����S���|�b����O�W���N�]GaN on
Si�^�C�o�اN�j�T���C�ƦX���b���馨���A�Φb�Ͳ��B�z�Ʀʥ�S���q���ഫ�A�i�H����S�p�S�ٹq�C�ثe�����W�w�g�i�H�ݨ�A�쥻�K���j�p�����q�������A�w�g�వ��u���氮�j�p�AOPPO�B�p�Q�����q�A��n���n��o�اN���ئb��������M���q�̡C
�n���F��2021�~4��1��o�G�F���i�\�v�b����]advanced power semiconductor�^��o�M���ണ�ɭp�e�A�Ω�H�u���z�t�ΡB�q�ʨT�������\�v�ഫ�Bí�w�B����A�H��5G�q�T�t�ΩM�i�A�ͯ�o�q���f�ܾ��]inverter�^���C����ꤺ�����W�Ҭ���20�������A�M�ӥѩ�ʥF�M�Q�M�N�A90%�H�W�ݨD����i�f�C